奈米壓印微影（Nano Imprint Lithography；NIL），先前已經被證明解析度可以達10nm以下。當晶圓來到了2nm以下的時候，ASML的曝光機越來越大，而且價格也越來越驚人。不過，其實目前在晶圓製作的過程中，在曝光這一過程除了純粹光學的技術之外，還有其他方法也可以製作半導體所需的精細圖案。 其中最受矚目的一項技術就是奈米壓印微影（Nano Imprint Lithography；NIL），先前已經被證明解析度可以達10nm以下。NIL技術主要由日本所開發主導，佳能（Canon）