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三星第9代V-NAND闪存将首次采用钼材料 可降低层高和延迟
三星在其第9代V-NAND闪存技术的革新中,巧妙地在金属化工艺环节引入了钼(Mo)作为替代材料,与之并行的另一路径则继续沿用传统的钨材料。面对钨材料在降低层高方面已触及的物理极限,三星前瞻性地转向钼,这一转变不仅有望实现层高30%至40%的进一步缩减,还能显著降低NAND闪存的响应时间,为数据存储领域带来前所未有的性能飞跃。三星的这一决策,预示着NAND材料供应链即将迎来深刻的变革与重塑。 值得注意的是,钼材料的引入并非易事,它要求生产设备能够耐高温处理,将固态钼原材料加热至600℃以转化为