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新存科技公布国产最大容量新型 3D 存储器芯片参数:最高 IO 速度 3200MT/s

IT之家 10 月 8 日消息,参考IT之家此前报道,新存科技 9 月 23 日发布了其自主研发的国产首款最大容量新型 3D 存储器芯片 NM101。该新品采用先进工艺制程结合三维堆叠技术,单芯片容量达 64Gb。新存科技官网现在公布了 NM101 芯片的参数情况:可以看到 NM101 采用 SLC 存储单元类型,最高 IO 速度(I/O 接口速率)3200MT/s,总线位宽为 ×8,IO 为 1.2V,支持 0℃~+70℃ 运行温度。新存科技表示 NM101 基于新型材料电阻变化原理,支持随机

经过: Ithome.com

  • Oct 10 2024
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